Кафедра информационно-измерительных систем
и физической электроники


english version


КИИСиФЭ 40 лет!

Главная
История кафедры
Преподаватели и сотрудники
Мероприятия
Научная деятельность
Учебная деятельность
Публикации
Конференции
Сотрудничество
Лаборатории
Методические пособия
Доска объявлений
Абитуриентам

Физико-технический институт
НОЦ "Плазма"
Веб-ресурсы ПетрГУ
Петрозаводский университет

185910, Республика Карелия,
г. Петрозаводск, ПетрГУ,
ул. Университетская, 10А,
каб. 111
телефоны
dfe@petrsu.ru
Подписка на новости
(введите свой e-mail
и нажмите Enter)

Разработка беспроводных сетей датчиков nanoLOC

The Optical Society OSA

ITMULTIMEDIA.RU


Основные результаты научной деятельности за 2013 г.


2017    2016    2015    2014    2013    2012    2011    2010    2009    2008    2007    2006    2005    2004    2003    2002    2001    2000    1999    1998    1997    1996    1995    full list

  1. Отработаны традиционные методы (магнетронное реактивное напыление, анодное окисление) и новый метод (ацетилацетонатный золь-гель метод) получения гетероструктур на основе оксидов переходных металлов, а также методики зондовой и FIB нанолитографий.

  2. Проведенные эксперименты по инжекции неравновесных носителей в микро- и наноструктурах на основе VO2 показали более высокую эффективность инициирования ПМИ по сравнению с эффектом поля, где распределение плотности заряда при обогащении в диоксиде ванадия быстро спадает по глубине по причине относительно высокой проводимости материала. Сравнительный анализ трех вариантов инжекции (туннельной, лавинной и через p-n переход) показывает, что инжекция через p-n переход наиболее предпочтительна.

  3. Установлено, что перспективным методом получения тонкопленочных микро- и наноструктур на основе диоксида ванадия является химический ацетилацетонатным золь-гель синтез, но его дальнейшее применение требует доработок.

  4. Получены оксидные диодные p-n оксидных гетероструктуры NiO—ZnO, NiO—TiO, NiO—In-Zn-O(IZO), IZO—CuO, SiVO2—Металл. Оксидные диоды Шоттки на основе анодного N2O5 с Ni, Au, Pd. Ячейки памяти на основе оксидов Nb2O5, Ta2O5, ZrO2. Комбинированные структуры оксидных диодов IZO—CuO и ячеек памяти на основе NiO.

  5. Синтезирован и экспериментально изучен набор оксидных гетероструктур. Исследованы электрические свойства: оксидных p-n гетероструктур NiO—ZnO, NiO—TiO, NiO—In-Zn-O(IZO), IZO—CuO и диодов Шоттки на основе анодных оксидов. Представлены результаты исследования эффекта униполярного резистивного переключения в тонкопленочных МОМ (металл-оксид-металл) структурах на основе оксида ниобия, тантала и циркония. Тонкие пленки Nb2O5, Ta2O5, ZrO2 были получены методом анодного окисления при комнатной температуре. Проводились испытания диодных p-n оксидных гетероструктур-элементов доступа в ячейках 3D памяти работы оксидных гетероструктур, как элемента доступа в ReRAM создавались комбинированные структуры, в состав которых входил диодный элемент (IZO-CuO), последовательно включенный с ячейкой памяти на основе оксида с резистивным переключением (NiO). Показана возможность 3D-интеграции для диода Шоттки, полученного с использованием анодного окисления, делается вывод, что анодное окисление может являться одним из технологических приемов для послойного изготовления 3D элементов доступа и структур с эффектом энергонезависимой памяти.

  6. Получены нанонити оксида ванадия методом электроспиннинга. Для этого приготавливается раствор ацетилацетоната ванадила в метаноле. В качестве полимера применяется поливинилпирролидон (PVP). В установке для электроспиннинга используется медицинский шприц с диаметром иглы 0,7 мм. Подача жидкости из шприца осуществляется с помощью шприцевого насоса NE-300. В качестве коллектора для осаждения нанонитей используется алюминиевая фольга.

  7. На основании модели, рассчитанной в рамках теоретических методов нестационарной электрогидродинамики свободных струй вязкой капельной жидкости с конечной электропроводностью, определены значения основных параметров получения нанонитей: вязкость, концентрация, электропроводность раствора, расстояние и напряженность поля между дозирующим соплом и коллектором.

  8. Результаты работы будут использованы на дальнейших этапах НИР: cоздание прототипных образцов элементов памяти на основе эффектов биполярного и униполярного электрического переключения в оксидных гетероструктурах и функциональных устройств на основе ОПМ с ПМИ (полевые транзисторы, диоды, переключатели).

  9. На основе генетических алгоритмов разработан и промоделирован метод выделения аномалий гравитационного и магнитного полей геологических объектов.

  10. Изучены структурные и магнитные свойства железистых кварцитов и входящего в их состав магнетита Южно-Корпангского участка Костомукшского рудного района.

  11. Создан пакет программ для анализа геохимических данных и с его помощью исследованы свойства лампроитов и магнетитов.

  12. Методами электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния проанализированы карбиды металлов в продуктах дугового газового разряда в аргоне.

  13. Создан программно-аппаратный комплекс мониторинга радона на базе сейсмической радоновой станции «СРС-05».

  14. Продолжены работы по созданию распределенной информационно-измерительной системы на базе Ethernet-устройств. Данная система предназначена для управления физическим экспериментом, а также для автоматизации сбора и анализа информации в различных прикладных задачах. Система создается на базе микропроцессорных устройств с использованием как проводной сетевой инфраструктуры (Ethernet), так и беспроводной сети (GSM).

  15. По результатам измерений поляризации излучения при столкновениях атомов аргона низких энергий получены данные о механизмах возбуждения уровней Ar I (3p5np). Например, показано, что при энергиях столкновения до 300 эВ основной вклад в заселение 4p’[1/2]1-уровня обеспечивают 4pσ—4pπ-переходы, обусловленные вращательным взаимодействием при малых межъядерных расстояниях, а при больших энергиях – 5fσ—5dσ-переходы, обусловленные радиальным взаимодействием.

  16. Разработаны методы получения тонкопленочных структур на основе оксидов переходных металлов (ОПМ), включающие методы вакуумного напыления (электронно-лучевое испарение, магнетронное напыление); электролитической металлизации (никелирование); электрохимического (анодного) окисления; магнетронного напыления в кислородосодержащей атмосфере; лазерной абляции (PLD); создания контактов микро- и наномасштабов (lift off фотолитография и электроннолучевая литография), а также проведена разработка методик нанесения литографических резистов.

  17. Разработан и синтезирован прототип температурного датчика с частотным выходом на основе диоксида ванадия, работающего на эффекте электрического переключения.

  18. Разработан и синтезирован прототип емкостного переключательного элемента на основе диоксида ванадия, работающий в двух режимах: фазовращателя электрического сигнала и переключательного варикапа.

  19. Составлен обзор научно-технической литературы по теме НИР «Электронные компоненты на основе оксидов переходных металлов с фазовым переходом металл—изолятор» за последние 10 лет, включающий общую характеристику оксидных гетероструктур; описание эффекта переключения в структурах на основе ОПМ, том числе с фазовым переходом металл—изолятор (ПМИ); анализ методов вакуумного напыления; анализ метода анодного окисления и электрической формовки пленочных структур ОПМ, обладающих эффектом переключения; анализ методов нанолитографии ОПМ; анализ разработок элементов на основе ОПМ с электронными корреляционными эффектами ПМИ, обладающих переключением с памятью, перспективы их практического применения; анализ разработок прототипов тонкопленочных полевых транзисторов на основе ОПМ, том числе с ПМИ, области их практического применения.

  20. Обнаружен эффект переключения в тонкопленочных структурах на основе оксида марганца, обусловленный переходом металл—изолятор в MnO2.

  21. В рамках электронного УМКД по дисциплине магистратуры «Проектирование микропроцессорных систем», представленного в системе дистанционного обучения BlackBoard, внедрен пилотный вариант системы формирования индивидуальных траекторий обучения на базе учебных контрактов. Рекомендовано при ежегодном обновлении ООП направлений подготовки в области информационных технологий, шире использовать внедрение учебных контрактов, позволяющих студентам сформировать индивидуальную траекторию изучения дисциплины, привнося в образовательный процесс элементы творчества, развивая самостоятельность при освоении материала и повышая мотивационную составляющую процесса обучения.


Последнее обновление
25.02.2014

Поддержка: Lab 127 team

Дизайн: студия "PetroL@B"